简介:
IS41C16256是512 X 512 X 16bit(4Mbit,即0.5MB)的高性能、低功耗EDO DRAM,允许用每字(16位)10ns的访问周期随机访问512行中的一行。在读或写周期内,每次通过18位地址惟一编址,行地址通过RAS锁存,列地址通过CAS锁存。CAS有两个控制端:LCAS和UCAS。LCAS控制I/O0 I/O7,UCAS控制I/O8~I/O15,均为三态,它们使芯片具有字节读和写的能力,适用于l6位和32位总线的系统。这些特点使IS41C16256适用于高带宽图形、数字信号处理系统、高性能计算机系统及其外围电路等方面的应用。
引脚中英文及参数: