PGND：电源地线，应用时常与GND相连。
    UP：输出电压增加时的输入端。
    DN：输出电压减小时的输入端。
    POL：极性输入端。改变极性和FB的门限值能够调节正极性输出电压或负极性输出电压。当POL接GND时为正极性输出电压；当POL接VCC时为负极性输出电压。
    VDD：片内MOSFET门驱动电源。该引脚通常与VCC相连。
    ISET：LX电流限制设置端。该引脚的连接方式能改变片内开关管峰值电流的限制值。ISET和VCC相连时，电流限制值为500mA；ISET和GND相连时，电流限制值为250mA。
    SHDN：关断输入端。当SHDN为低电平(逻辑电平)时为关断模式；当SHDN和VCC相连时，为正常模式。
    DACOUT：为DAC输出电压引脚。
    REF：参数输出引脚。通常该引脚用0.1μF陶瓷电容对地旁路。
    FB：反馈输入引脚。通常它连到外部电阻分压器以调节MAX686的输出电压。
    POK：电源mOK传感输入／电源--OK比较输入弓l脚。当VPOK>1．125V时，LCDON为低电平；POK连到电阻分压器时，可用于监视VIN或VOUT。
    VCC：芯片电源输入引脚。
    GND：地线。
    LCDON：电源--OK比较器开漏输出引脚。连到外部开关能使LCD电源接通或断开。
    NC：悬空。
    LX：片内开关的漏极端(28V／500mA)

内部框图及应用电路：

主要参数
极限参数：
电源电压(Vcc=VDD)：-0.3～+6V。
反馈输入电压(VFB)：-0.3～Vcc+0.3V。
参考输出电压(VREF)：-0.3～Vcc+0.3V。
DAC输出电压(VDAc)：-0.3～Vcc+0.3V。
电源地到地问的电压：-0.3～+0.3V。
片内MOSFET管的漏极电压(VLX)：-0.3～+30V。
电源好比较器开漏输出电压(VPOX)：-0.3～+30V。
功耗：667mw。
存储温度：-65～+160％。
引线焊接温度：+300℃
推荐工作参数
电源电压(Vcc=VDD)：5V。
输入电压(VIN)：5V。
电源电流：65μA。
线性调节：0.1％／V。
负载调节：0.01％／mA。
参数电压：1.250V。
工作温度：O～+70℃。

主要特点：
内含一个N沟道MOSFET管(500mA，28V)。
输出电压可以是正极性输出，也可以是负极性输出(27.5V或一27.5V)。
效率高达90％。
片内带有一个控制输出电压的6位DAC。
具有单片机控制的数字接口。
静态电流仅为65μA。
关闭电流只有1.5μA。
开关频率为300kHz。
具有电源好(POK)指示功能。